书目详细信息
： 晶体管原理与设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-02268-0:CNY35.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 晶体管原理与设计/.陈星弼, 张庆中编著 |
| 版本项： | 第2版 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2006.2 |
| 载体形态项： | 385页:;+图:;+23cm |
| 丛编项： | 高等学校电子科学与技术专业教材 |
| 提要文摘： | 本书全面系统地介绍了半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。本书还介绍了双极晶体管的设计方法和制造中的问题，并附有各种图表以供参考。书中提供大量习题，供读者巩固以加深对所学知识的理解。 |
| 题名主题： | 晶体管 理论 高等学校 教材 |
| 题名主题： | 晶体管 设计 高等学校 教材 |
| 中图分类： | TN32 |
| 个人名称等同： | 陈星弼 编著 |
| 个人名称等同： | 张庆中 编著 |
| 记录来源： | CN ILAS 20090608 |