书目详细信息
： 半导体硅锗中的离子注入
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | ￥0.97 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体硅锗中的离子注入/.(美)迈耶(J.W.Mayer等著/.余怀之等译 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,1979 |
| 载体形态项： | 290页:;+19cm |
| 一般附注： | 书名原文:Ion implantation in semiconductors silicon and germanium |
| 并列题名： | Ion implantation in semiconductors silicon and germanium eng |
| 题名主题： | 元素半导体-硅-离子注入 |
| 题名主题： | 硅-元素半导体-离子注入 |
| 题名主题： | 离子注入-硅-元素半导体 |
| 题名主题： | 元素半导体-锗-离子注入 |
| 题名主题： | 锗-元素半导体-离子注入 |
| 题名主题： | 离子注入-锗-元素半导体 |
| 中图分类： | TN305.3 |
| 个人名称等同： | 迈耶 J.W. 著 |
| 个人名称等同： | Mayer J.W. 著 |
| 个人名称次要： | 余怀之 译 |
| 记录来源： | CN NLC |