书目详细信息
： SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-66953-1:CNY89.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术/.(日)菅沼克昭编著/.何钧，许恒宇译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2021 |
| 载体形态项： | 12,195页:;+图，照片，地图:;+24cm |
| 丛编项： | 新型电力电子器件丛书 |
| 提要文摘： | 本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。 |
| 题名主题： | 功率半导体器件 封装工艺 可靠性估计 |
| 中图分类： | TN305.94 |
| 个人名称等同： | 菅沼克昭 (日) 编著 |
| 个人名称次要： | 何钧 (文学) 译 |
| 个人名称次要： | 许恒宇 译 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20210312 |
| 记录来源： | CN OLCC 20231027 |
| 电子图书： | http://www.zxhsd.com/kgsm/ts/2021/03/09/5298900.shtml |