书目详细信息
： 半导体器件物理
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 7-121-00622-7:CNY28.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体器件物理/.刘树林, 张华曹, 柴常春编著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2005 |
| 载体形态项： | 334页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 高等学校电子信息类教材 |
| 提要文摘： | 本书首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系；最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件（如功率MOSFET、IGBT和光电器件）的原理及应用。 |
| 题名主题： | 半导体器件 高等学校 教材 |
| 中图分类： | TN389 |
| 个人名称等同： | 刘树林 编著 |
| 个人名称等同： | 张华曹 编著 |
| 个人名称等同： | 柴常春 编著 |
| 记录来源： | CN ILAS 20070627 |