书目详细信息
： 碳化硅器件工艺核心技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-74188-6:CNY189.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅器件工艺核心技术/.(希)康斯坦丁·泽肯特斯(Konstantinos Zekentes)，(英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基(Konstantin Vasilevskiy)等著/.贾护军，段宝兴，单光宝译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024 |
| 载体形态项： | 16,411页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 相关题名附注： | 书名原文：Advancing silicon carbide electronics technology |
| 提要文摘： | 本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等。 |
| 并列题名： | Advancing silicon carbide electronics technology eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 泽肯特斯 (希) (Zekentes, Konstantinos) 著 |
| 个人名称等同： | 瓦西列夫斯基 (英) (Vasilevskiy, Konstantin) 著 |
| 个人名称次要： | 贾护军 译 |
| 个人名称次要： | 段宝兴 译 |
| 个人名称次要： | 单光宝 译 |